温州朗合电气科技有限公司

1. 电阻（Resistor）：别让“小电阻”毁了大电路

原理：阻碍电流流动，实现限流或分压。

选型要点：

功率余量：额定功率至少为实际功耗的1.5倍。

高频场景：优先选用金属膜电阻，降低感抗。

常见误区：

案例：某无人机因碳膜电阻温漂过大，导致飞行控制器在高温下失效。

避坑：高温环境选用金属膜电阻，并留足功率余量。

2. 电容（Capacitor）：滤波电容选错，电源直接“炸机”

原理：存储电荷，隔直通交。

选型要点：

高频低ESR：开关电源优先选用陶瓷电容或聚合物电容。

耐压值：实际工作电压需低于额定电压的80%。

常见误区：

案例：某充电器因电解电容ESR过高，发热严重导致起火。

避坑：高频场景避免使用普通电解电容，选用低ESR型号。

3. 二极管（Diode）：反向恢复时间决定生死

原理：PN结单向导电。

选型要点：

高频开关：肖特基二极管（反向恢复时间短）。

高压场景：快恢复二极管（耐压高，恢复时间适中）。

常见误区：

案例：某逆变器因普通二极管反向恢复时间过长，导致开关管过热烧毁。

避坑：高频场景务必关注反向恢复时间（trr）。

4. 三极管（BJT）：β值不足，放大电路直接“哑火”

原理：基极电流控制集电极电流。

选型要点：

β值匹配：开关电路需确保β值足够。

散热设计：大电流场景加装散热片。

常见误区：

案例：某音频放大器因β值过低，输出信号失真严重。

避坑：选型时实测β值，确保满足电路需求。

5. 电磁继电器（Relay）：触点负载不匹配，设备直接“罢工”

原理：线圈通电吸合触点，实现电路通断。

选型要点：

触点负载：需匹配负载功率。

续流二极管：线圈驱动需并联二极管，防止反向电动势损坏电路。

常见误区：

案例：某工业控制器因继电器触点负载不足，频繁烧毁。

避坑：选型时留足触点负载余量，并加装续流二极管。

6. 保险管（Fuse）：熔断特性选错，保护变“灾难”

原理：过流熔断，保护后端电路。

选型要点：

额定电流：为电路最大工作电流的1.25~1.5倍。

熔断特性：快断型用于敏感电路，慢断型用于电机等感性负载。

常见误区：

案例：某电源模块因快断保险管误熔断，导致设备频繁断电。

避坑：根据负载特性选择合适的熔断特性。

7. 晶振（Crystal Oscillator）：频率不稳，通信直接“断联”

原理：压电效应产生稳定频率。

选型要点：

负载电容：匹配MCU要求。

温度稳定性：高精度场景选用TCXO或OCXO。

常见误区：

案例：某物联网设备因晶振温度漂移过大，野外通信失败。

避坑：高温场景选用温补晶振（TCXO）。

8. IGBT（绝缘栅双极型晶体管）：驱动电压浮动，直接“炸管”

原理：结合MOSFET和BJT优点，适合高压大电流场景。

选型要点：

驱动电压：通常为15V±20%，需严格匹配。

开关速度：高频场景选低Qg型号。

常见误区：

案例：某变频器因驱动电压超限，IGBT瞬间烧毁。

避坑：选型时关注驱动电压范围和Qg值。

9. 电感（Inductor）：饱和电流不足，电源直接“崩溃”

原理：阻碍电流变化，实现滤波和储能。

选型要点：

饱和电流：需大于电路峰值电流。

直流电阻：高频场景选低DCR型号。

常见误区：

案例：某DC-DC电源因电感饱和，输出电压波动过大。

避坑：选型时实测饱和电流（Isat）。

10. 场效应管（FET）：导通电阻过大，效率直接“腰斩”

原理：栅极电压控制源漏极电流。

选型要点：

导通电阻：低压大电流场景选低RDS(on)型号。

栅极电荷：高频场景选低Qg型号。

常见误区：

案例：某LED驱动因MOSFET导通电阻过大，发热严重。

避坑：选型时关注RDS(on)和Qg值。